Поскольку компоненты всё более уменьшаются, высокая хрупкость и пропорции делают более сложным процесс заполнения узких глубоких структур без повреждения плазмы с помощью технологии PVD (физического осаждения из паровой фазы). Использование маломощной плазмы на основе ВЧ минимизирует риск повреждения и обеспечивает более равномерное распределение плотности плазмы, что позволяет создавать лучшее покрытие и однородность в нижней части.

Система Endura Avenir с ВЧ технологией физического осаждения из паровой фазы относится к установкам для создания элементов с высокой диэлектрической проницаемостью / металлическим затвором, а также для силицидирования контактов в логических элементах до 22 нм и более.

Для транзисторов с высокой диэлектрической проницаемостью / металлическим затвором, система Avenir предлагает решения для различных схем интеграции, что позволяет ей легко переключаться между двумя методиками. Для первичных затворов технология RF PVD позволяет контролировать осаждение однородных и непрерывных тонких пленок (<10Å). Для вторичных затворов применяется плазма, ёмкостно-связанная, под высоким давлением, для обеспечения хорошего покрытия и минимальных выступов. Технология системы RF PVD также минимизирует риск повреждения при нанесении сверхтонких верхних защитных слоев и металлических затворов, обеспечивая отсутствие резких границ при захвате заряда. Возможности настройки системы позволяют точно управлять стехиометрией TiN для равномерного нанесения пленки. В пересчёте на эффективную работу выхода, для высокой производительности необходимо<4.2eV для n-канальных МОП-структур и> 5.0eV для р-канальных МОП-структур.

Для силицидирования контактов логических схем Ni (Pt) с большим относительным удлинением система работает в режиме высокого давления с ёмкостно-связанной плазмой, которые обеспечивают более высокую плотность ионизации металла и, следовательно, лучшее покрытие в нижней части.